【锚思科技讯】几年前，英特尔推出了其工艺节点制造战略，雄心勃勃地计划在2025年前实现1nm工艺。在过去的一年半里，该公司取得了许多进步，第12代和第13代核心处理器（Alder Lake和Raptor Lake系列）采用了7nm工艺。该公司现在透露，它准备立即开始生产和制造下一代工艺技术Intel 4。
英特尔中国研究院院长宋继强在最近的一次会议上透露，最新的Intel 4工艺已准备就绪。Intel 4是Intel 7的继任者，将被纳入下一代，代号为Meteor Lake。使用最新Intel 4处理器技术的新第14代核心处理器预计将于今年下半年上市。
宋继强继续表示，Intel 3工艺技术和以下20A/18A工艺技术正在按照公司的计划向前发展，试图为台积电（TSMC）和三星（Samsung）等半导体领导者提供快速竞争。
英特尔20A是该公司的2nm工艺技术，18A是该公司的1.8nm工艺，预计将于2024年进入制造阶段。20A工艺节点将在2024年第一季度出现，随后在下半年出现18A工艺。这一举措对于英特尔在2025年前进入该公司的半导体市场至关重要。
目前尚不清楚18A系列芯片将被纳入其中，但该公司已正式确认，20A工艺技术将用于代号为“Arrow Lake”的芯片。在已披露的幻灯片中，18A将被纳入未来基于客户的“Lake”系列芯片、“Rapids”系列数据中心芯片组和英特尔客户的代工厂芯片中。另据报道，英特尔已经在20A和18A工艺节点上生产了第一批测试芯片，但未提及这些芯片是由英特尔内部设计还是为第三方客户设计。
20A和18A工艺节点还将为其芯片引入新的RibbonFET和PowerVia技术。RibbonFET，被称为“带状场效应晶体管”，是FinFET技术的继承者。与FinFET相比，它被认为是一种具有改进的静电性能的全栅（GAA）晶体管。
PowerVia是一种在背面工作的电源传输过程，用于解决硅架构中互连的瓶颈问题。一旦PowerVia可用，与将数据通信信号和电力传输到晶体管层顶部的互连不同，PowerVia将直接传输到硅片背面，同时在硅片顶部传输信号。