【锚思科技讯】2月，在第70届IEEE国际固态电路大会（ISSCC）上，SK海力士向与会者展示了新的八代3D NAND芯片的细节，这些芯片包含了300多个有源层。SK海力士在会议上发表的题为“高密度存储器和高速接口”的论文描述了该公司将如何提高固态驱动器的性能，同时降低单个TB的成本。新的3D NAND将在两年内首次亮相市场，预计将打破纪录。
新的第八代3D NAND存储器将提供1TB（128GB）的存储容量，提供三级单元、20Gb/s的位密度、16KB的页面大小、四个平面和2400 MT/s的接口。最大数据吞吐量将达到194 MB/s，比上一代238层、164 MB/s的3D NAND高出18%。加速的输入和输出将有助于提高数据吞吐量，并有助于PCIe 5.0 x4或更高的接口利用率。
该公司的研发团队研究了五个领域，以实现新的第八代3D NAND技术：
三重验证程序（TPGM）功能可缩小电池阈值电压分布，并将tPROG（编程时间）减少10%，从而提高性能
自适应未选择字符串预充电（AUSP）-另一种将tPROG降低约2%的程序
全通上升（APR）方案，将tR（读取时间）减少约2%，并缩短字线上升时间
编程伪串（PDS）技术，通过减少通道电容负载来缩短tPROG和tR的世界线路稳定时间
平面级读取重试（PLRR）功能，允许在不终止其他平面的情况下更改平面的读取级别，因此可以立即发出后续读取命令，从而提高服务质量（QoS）和读取性能
由于SK海力士的新产品仍在开发中，尚不清楚SK海力士何时开始生产。随着ISSCC 2023会议的宣布，可以推测，该公司比公众意识到的更接近于与合作伙伴开始大规模或部分生产。
该公司尚未透露生产最新一代3D NAND的时间表。尽管如此，分析师预计该公司最早将在2024年，最晚将在次年出现动向。