【锚思科技讯】今天来自Morgan Stanley的一份最新报告的片段显示，N3e的产量高于预期，台积电最快在本月底之前“冻结”N3e节点的设计参数。这表明该工艺的批量生产可能在明年第二季度开始，这是芯片节点进入批量生产之前的最后阶段之一。同时也意味着台积电将N3e生产向前推进整整一个季度。
被称为N3e的技术是台积电N3节点第一次迭代的升级。台积电N3节点有望将一些晶体管尺寸缩小到3纳米。
Morgan Stanley的这段信息指出：
N3e产量提高；计划被推迟：我们最近与设备供应商进行的检查表明，台积电可能会在今年3月底之前冻结N3e流程。这意味着N3e的批量生产可能会在第二季度开始，比第三季度的原计划提前约四分之一。N3e的测试产量远高于N3b。我们的检查表明，通过切割四个EUV层，N3e的逻辑密度仅比原始N3低约8%，但其密度仍比5nm高60%。所有这些使得N3e在成本和时间方面成为台积电的竞争节点。
Morgan Stanley发布这一消息之前，台湾媒体的消息人士曾猜测，台积电正面临3nm工艺产量问题。在半导体工业中，一种工艺的成品率被定义为在单个晶圆上通过质量控制检查的芯片数量，百分比越高，工艺越成熟。台积电等晶圆厂往往会花时间完善这一指标，因为它加深了客户关系，提高了产品质量。
它还提到了N3b节点的存在，此前据推测，由于产量低，台积电将其作为权宜之计引入。虽然之前的报道推测，由于据称的产量缺陷，台积电的客户选择了使用相对成熟的5nm节点，但这仍然是一个未知数。
台积电去年公布的原始N3节点的官方数据显示，该工艺比5nm工艺的密度高70%。Morgan Stanley的数据显示，5nm以上的芯片产量增加了60%，而第一代N3的产量则减少了8%，这与该芯片制造商的预期一致。