台积电
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台积电公布1nm及以下先进制程规划 多厂区同步推进布局
4月17日消息，据中国台湾地区媒体《电子时报》当日报道，台积电近期召开2026年第一季度财报法人说明会，详细介绍了其1nm及以下先进制程工艺的整体规划，明确了台南、新竹宝山及美国亚利桑那多个晶圆厂的制程定位与推进进度，持续巩固在全球先进半导体制造领域的领先地位。
AI需求推动台积电业绩预创新高 一季度净利润预计同比增50%
4月16日消息，据路透社报道，受全球AI需求持续爆发的推动，台积电预计将再创业绩新高，实现连续第四个季度刷新纪录，市场普遍预期其今年第一季度净利润将同比增长约50%，展现出强劲的发展韧性。
三星2nm工艺良率达55%仍未达标 落后台积电且商业化不成熟
4月13日消息，韩媒《釜山日报》当地时间今日报道称，三星电子当前2nm工艺制程良率已达到55%上下，但这一水平不仅落后于台积电约一成，同时也未达到竞争重要无晶圆厂（Fabless）企业代工订单所需的标准，凸显出三星在先进半导体制程领域的竞争短板。
小米玄戒O2芯片传闻：采用台积电N3P工艺 拟拓展至平板/汽车等多终端
1月19日消息，据财联社今日报道，有消息人士透露，小米第二代自研SoC芯片玄戒O2将采用台积电N3P工艺（第三代3nm工艺），而非业界猜测的台积电最新2nm制程。同时，小米计划将该芯片拓展至平板、汽车、电脑等“非智能手机”产品，采用“平板先行，PC和汽车随后”的落地节奏，进一步扩大自研芯片的应用场景。
MediaTek首款台积电2nm制程旗舰SoC完成设计流片，明年年底量产
9 月 16 日消息，今日 MediaTek 宣布，其首款采用台积电 2 纳米制程的旗舰系统单芯片（SoC）已成功完成设计流片（Tape out），成为全球首批采用该技术的公司之一，预计明年底进入量产阶段。
英伟达 CEO 黄仁勋突访台积电，披露 Rubin 架构六款新芯片
8 月 22 日消息，英伟达 CEO 黄仁勋今日无预警突然现身中国台湾地区，他受访时直言，此行最主要的目的就是要拜访台积电，亲自感谢对方在下一世代芯片架构「Rubin」上的全力协助，并表示今晚就要离开。
