【锚思科技讯】三星电子今天宣布，将开发其16GB（Gb）DDR5 DRAM，该DRAM采用业界首个12纳米（nm）级工艺技术构建，并完成与AMD兼容的产品评估。
三星电子（Samsung Electronics）DRAM产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee表示：“我们的12nm范围DRAM将成为推动市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。”。“凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。”
AMD高级副总裁、企业研究员、客户、计算和图形技术首席技术官乔·麦克里表示：“创新通常需要与行业合作伙伴密切合作，以推动技术的发展。”。“我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在‘Zen’平台上优化和验证的DDR5内存产品。”
这一技术飞跃是通过使用一种新的高κ材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专有设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新型DRAM具有业界最高的管芯密度，可使晶圆生产率提高20%。
利用最新的DDR5标准，三星的12nm级DRAM将帮助解锁高达每秒7.2千兆比特（Gbps）的速度。这意味着在一秒钟内处理两部30千兆字节（GB）的超高清电影。
新型DRAM的卓越速度与更高的功率效率相匹配。与以前的DRAM相比，12nm级DRAM的功耗降低了23%，对于追求更环保操作的全球IT公司来说，它将是一个理想的解决方案。
随着2023年开始大规模生产，三星计划将其基于这一尖端12nm级工艺技术的DRAM阵容扩展到广泛的市场细分领域，同时继续与行业合作伙伴合作，支持下一代计算的快速扩展。
