【锚思科技讯】2月12日消息，英特尔将在未来几年发布更新的进程节点技术——3、20A和18A。该公司已于2021从Alder Lake系列处理器开始实现Intel 7。Intel 7还用于Raptor Lake、Sapphire Rapids、Xe HP和Xe HPC芯片组。现在，该公司正在展望未来，从明年上半年开始大规模生产新的工艺节点。
英特尔正在继续研究和开发Intel 4，这是最初的7nm工艺节点技术，将在Meteor Lake和Granite Rapids中亮相。据称，通过利用EUV光刻技术，其每瓦性能（PPW）比Intel 7高出20%。Intel 3随后将增加EUV光刻，以实现更多的模块化，并计划提供更高性能，将PPW提高到18%。
Intel 20A和18A将推动ASML制造的EUV机器到2024年生产1.8nm工艺节点。20A和18A是未知的处理器系列，但将采用RibbonFET（带状场效应晶体管）和PowerVia（后端功率传输网络），用于20A和第二代ribbon FET，用于18A的高NA EUV光刻。去年，RibbonFET取代了FinFET晶体管架构。
ASML预计到2028年将达到1纳米大关，但在协助英特尔开发未来的14A代工艺之前，该工艺将使用1.4nm工艺节点。
EUV光刻技术，尤其是对改进工艺的研究，将增加制造成本以及创建新的机器以创建新的工艺节点的成本。目前，EUV光刻机的成本接近1.5亿美元，推测成本将升至4亿美元。
目前正在开发的最新ASML EUV光刻机是EXE：5000系列，该系列将在2026年实现高NA技术，这将与英特尔的18A计划一致。
英特尔尚未正式宣布最新两代产品（20A和18A）的开发，但有传言称，这家科技巨头正在开发中，这将符合其2021制定的五年计划。