FinFET
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三星开始使用GAA技术生产3nm芯片 功耗降低45% 性能提升23%
【锚思科技讯】今天，三星宣布已经开始使用3nm工艺节点来制造GAA环栅晶体管架构芯片。与5nm工艺相比，3nm工艺可收缩16%的面积，降低45%的功耗，提升23%的性能。
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三星称4nm良率已进入预定曲线 3nm工艺良率改善中
【锚思科技讯】三星在4nm工艺上的良率仅有35%，让它失去了NVIDIA和高通等大客户，虽然三星一再否认，但高通和NVIDIA转投台积电这事不假。
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台积电N3E制程技术进展顺利 明年月产能或达5万片
【锚思科技讯】据台湾出版物UDN最新报道称，台积电在N3E制造技术方面继续取得进展。台积电已将该系列下的不同技术命名为“N3”，到目前为止，据称有两种变体N3E和N3B即将投入生产线。
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