【锚思科技讯】据台湾出版物UDN最新报道称，台积电在N3E制造技术方面继续取得进展。台积电已将该系列下的不同技术命名为“N3”，到目前为止，据称有两种变体N3E和N3B即将投入生产线。
台积电明年将加快N3E工艺的批量生产，首批产品预计将流苹果。据报道，除了苹果，高通公司和英特尔公司也是该工厂N3E客户群的一部分。这种变体是N3进程的第二代，预计将在N3B节点之后引入。
UDN承认台积电在3nm过程中遇到了瓶颈，但报告称这些瓶颈已从改进过程中受益。特别是，为改进3nm而进行的研究和开发与2nm工艺产生了协同效应。台积电的3nm节点将使用传统的FinFET晶体管设计，而2nm节点将使用一种新的设计，称为GAAFET。
它还分享了台积电3nm工艺生产计划的细节。UDN的消息人士认为，该公司在台湾南科部门的工厂将为苹果生产芯片，其在新竹的工厂将为英特尔生产芯片。
本月早些时候，Digitimes发布的一份报告称，最初的3nm生产将在每月4万到5万片之间。据UDN报道，南科工厂每月将生产15000片3nm晶圆，而新竹中心每月的产量将在10000到20000块之间。该报告还指出，明年N3E的产量可能达到每月5万片。
最后，据报道为英特尔生产芯片的新竹工厂也将标志着台积电首次将研发中心转变为生产线。该中心最初只负责试产，这一转换表明了台积电与英特尔关系的性质，以及这些订单将对该厂现有3nm产能分配产生的影响。台积电计划明年提高3nm的产量。