8月4日消息，据台媒《电子时报》报道，三星电子、SK海力士、美光三大存储芯片厂商已提前完成2027年通用DRAM与HBM产能分配洽谈，相关产能全部预订一空。供应相对宽松的NAND闪存，预计将于本月敲定明年全年产能配额。
报道分析，经历2026年存储芯片供给紧缺行情后，下游采购厂商备货意愿大幅升温。原本仅流行于HBM市场的提前锁产模式，如今蔓延至整体存储产业。各大客户无论是否签署长期供货协议（LTA），均积极响应三大原厂预付定金锁产能的要求。
业内预估，三大存储巨头现有产能仅可覆盖下游60%~70%的市场需求。同时产能资源优先倾斜AI、高性能计算（HPC）赛道，手机、PC行业能够获取的DRAM配额将显著收缩，消费电子产业链或将持续面临存储供给压力。
