12月24日消息，据外媒报道，三星电子、SK海力士等全球头部存储供应商已明确上调2026年HBM3E（高带宽内存）供应价格，涨幅接近20%。这一涨价态势打破了“新一代HBM产品面世前旧款降价”的行业常规，被业内视为异常现象，背后核心驱动力源于英伟达、谷歌、亚马逊等AI加速器企业的订单激增，叠加厂商产能向新一代产品倾斜导致的供应缺口。
行业消息显示，HBM3E已在2025年成为全球HBM市场的主力产品。尽管市场此前普遍预期，2026年随着HBM4的兴起，HBM3E价格将小幅回落，但实际需求端的爆发改变了这一趋势。除英伟达外，谷歌、亚马逊等全球大型科技企业均计划在2026年推出搭载HBM3E的AI加速器产品，进一步推高需求。具体来看，英伟达H200芯片每颗搭载6颗HBM3E，谷歌第七代TPU和亚马逊Trainium每颗分别搭载8颗和4颗HBM3E，且两者的HBM搭载量较上一代提升20%-30%。
供应端的产能约束则加剧了供需失衡。半导体行业人士指出，三星电子、SK海力士当前正重点推进下一代产品HBM4的生产布局，无法过度扩大HBM3E产能，导致在需求持续增长的背景下出现供应缺口，最终催生约20%的价格溢价。据KB Securities等机构预测，2026年全球HBM市场营收中，HBM4将占55%，HBM3E仍占45%；且从明年第三季度开始，HBM4将快速吸收HBM3E的需求，成为市场主导产品。
值得关注的是，HBM需求激增的影响已蔓延至整个存储产业链，DRAM等核心存储产品的涨价趋势持续。TrendForce集邦咨询预测，2026年全球DRAM需求同比增长26%，而供应仅增长20%，供需缺口明显，全年DRAM平均单价预计同比上涨58%。与此同时，AI相关需求推动Server DDR5等产品缺货格局显现，2025年第四季度Server DDR5合约价季增幅度远超预期，其与HBM3E的获利价差快速收敛，进一步为HBM3E涨价提供了支撑。
涨价潮直接提振了三星电子、SK海力士的业绩预期。据金融信息公司FNGuide数据，三星电子2026年全年营业利润预期已从一个月前的76.6544万亿韩元上调至85.4387万亿韩元（按现汇率约合4060.05亿元人民币）；SK海力士同期营业利润预期则从71.4037万亿韩元上调至76.1434万亿韩元（约合3618.33亿元人民币）。存储行业正处于AI驱动的“超级周期”，三星、SK海力士作为HBM市场核心玩家，将持续受益于价格上涨与需求增长，这一趋势预计至少延续至2026年底。
从产能布局来看，三大DRAM厂商对扩产态度相对谨慎。预计到2026年底，三星TSV工艺（HBM）晶圆月产量维持15万片，SK海力士将增至20万片，美光则达10万片。而美光已明确2026年HBM供应量全部售罄，并计划投入200亿元资本支出支持HBM产能建设。机构预测，全球HBM市场规模将从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元，复合年增长率约40%，行业高景气度有望持续。
